參數資料
型號： FDC6561
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： 雙N溝道MOSFET的邏輯電平PowerTrenchTM
文件頁數： 7/8頁
文件大小： 256K
代理商： FDC6561
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
SuperSOT
-6 (FS PKG Code 31, 33)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0158
SuperSOT
TM
-6 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
相關PDF資料
PDF描述
FDC658AP Single P-Channel Logic Level PowerTrench㈢ MOSFET -30V, -4A, 50mOhm
FDC658P Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDC6901L Integrated Load Switch
FDC697P P-Channel 1.8V PowerTrench MOSFET
FDC699P P-Channel 2.5V PowerTrencH MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
FDC6561AN 功能描述:MOSFET SSOT-6 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC6561AN 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET Transistor Transistor Polarity:Du
FDC6561AN 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN SUPERSOT-6
FDC6561AN_Q 功能描述:MOSFET N-Channel 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC6561AN-CUT TAPE 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDC6561AN Series 30 V 0.095 Ohm Dual N-Ch Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-6
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