參數(shù)資料
型號(hào)： FDC645N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 5.5 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 313K
代理商： FDC645N
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
SuperSOT -6 (FS PKG Code 31, 33)
SuperSOT
TM
-6 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0158
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC6506 Dual P-Channel Logic Level PowerTrench⑩ MOSFET
FDC6506P Dual P-Channel Logic Level PowerTrench⑩ MOSFET
FDC653 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDC653N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDC654P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDC645N 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SUPERSOT-6
FDC645N_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET
FDC645N_F095 功能描述:MOSFET 30V 5.5A N-CH POWERTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC645N-CUT TAPE 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDC645N Series 30 V 26 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet - SSOT-6
FDC6506 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel Logic Level PowerTrench⑩ MOSFET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*