參數(shù)資料
型號(hào): FDC642
廠商: Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述: P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩MOSFET
中文描述: P通道2.5V的指定的PowerTrench MOSFET的⑩
文件頁(yè)數(shù): 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 269K
代理商: FDC642
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0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
5
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
GS
= -4.5V
-2.5V
-3.5V
-3.0V
-2.0V
-1.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
4
8
12
16
20
- I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -2.5V
-3.5V
-4.5V
-3.0V
-4.0V
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= - 4A
V
GS
= - 4.5V
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
1
2
3
4
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -2A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
0
2
4
6
8
10
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5V
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
T = 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC642P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩MOSFET
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FDC645N N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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FDC6420C_Q 功能描述:MOSFET 20V/-20V N/P RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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