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參數資料
| 型號： | FDC640P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| 中文描述： | 4500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | LEAD FREE, SUPERSOT-6 |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 261K |
| 代理商： | FDC640P |
F
FDC640P, Rev.C
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
t , TIME (sec)
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R = 156°C/W
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
0
1
2
3
4
5
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 156
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -4.5A
V
DS
= -5V
-10V
-15V
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 156
o
C/W
T
A
= 25
o
C
R
DS(ON)
LIMIT
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
0
5
10
15
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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