參數(shù)資料
型號(hào)： FDC634
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 的P -溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 71K
代理商： FDC634
FDC634P Rev.C
0
1
2
3
4
5
0
3
6
9
12
15
-V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
V = -4.5V
D
-2.5
-2.0
-3.0
-1.5
-3.5
0
3
6
9
12
15
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = -2.0 V
R
D
-3.5
-4.5
-2.5
-3.0
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
Figure 5. Transfer Characteristics.
0
0.2
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
15
-
S
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current and
Temperature.
Figure 4. On Resistance
Variation with
Gate-To- Source Voltage.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
R
D
V = -4.5V
I = -3.5A
1
2
3
4
5
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
I = -1.8A
T = 125°C
J
25°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
3
6
9
12
15
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
V = -5.0V
J
125°C
25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC634P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管)
FDC636P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDC637AN Single N-Channel, 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDC637BNZ N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET 20V, 6.2A, 24mヘ
FDC638APZ P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET -20V, -4.5A, 43mohm
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參數(shù)描述
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