參數(shù)資料
型號： FDC633N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(P溝道增強型MOS場效應晶體管)
中文描述： 5200 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 278K
代理商： FDC633N
FDC633N Rev.C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
5
10
15
20
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 4.5V
1.5
2.0
3.0
2.5
0
5
10
15
20
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 2.0V
R
D
3.0
4.5
3.5
2.5
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
Figure 5. Transfer Characteristics.
0
0.2
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
15
I
S
25°C
-55°C
V = 0V
J
Figure 4. On-Resistance
Variation with
Gate-to-Source Voltage.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
R
D
V = 4.5V
I = 5.2A
1
2
3
4
5
0
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I = 2.5A
R
D
T = 25°C
T = 125°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
3
6
9
12
15
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 5V
J
125°C
25°C
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
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