參數(shù)資料
型號： FDC6321C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual N & P Channel , Digital FET
中文描述： 0.68 mA, 25 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大小： 273K
代理商： FDC6321C
FDC6321C.RevB
Typical Electrical Characteristics: N-Channel
(continued)
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 0.5A
10V
15V
V = 5V
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.1
0.5
1
2
5
10
25
5
10
20
50
100
150
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
Figure 8. Capacitance Characteristics
.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
0.01
0.1
1
10
100
300
0
1
2
3
4
5
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =See note 1b
T = 25°C
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
40
0.01
0.03
0.1
0.3
1
5
V , DRAI N-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 4.5V
SINGLE PULSE
R = See note 1b
T = 25°C
JA
DC
1s
10ms
100ms
RDSON LMT
1ms
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PDF描述
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參數(shù)描述
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