參數(shù)資料
型號(hào)： FDC6320
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Dual N & P Channel , Digital FET
中文描述： 雙N
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： FDC6320
FDC6320C.Rev C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 8. Gate Charge Characteristics
.
0.1
0.5
1
2
5
10
25
1
2
3
5
10
20
30
DS
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
Figure 7. Capacitance Characteristics
.
Typical Electrical Characteristics: N-Channel
(continued)
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 0.2A
V = 5.0V
0.5
1
2
5
10
20
40
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
0.8
V , DRAI N-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
DC
1s
100ms
1ms
RDS(ON)LMT
V = 2.7V
SINGLE PULSE
R =See note 1b
T = 25°C
GS
10ms
0.01
0.1
1
10
100
300
0
1
2
3
4
5
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =See note 1b
T = 25°C
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC6320C Dual N & P Channel , Digital FET
FDC6321C Dual N & P Channel , Digital FET
FDC6322 Dual N & P Channel , Digital FET
FDC6322C Dual N & P Channel , Digital FET
FDC6323 Integrated Load Switch
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參數(shù)描述
FDC6320C 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC6320C 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
FDC6320C_Q 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC6321C 功能描述:MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDC6321C 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NP SUPERSOT-6
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