參數(shù)資料
型號(hào)： FDC6036P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 5 A, 20 V, 0.044 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： LEAD FREE, FLMP, SUPERSOT-6
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 163K
代理商： FDC6036P
FDC6036P Rev C2 (W)
Typical Characteristics
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
5
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
-1.5V
-2.5V
-2.0V
-1.8V
V
GS
=-4.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
0
5
10
15
20
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
=-1.8V
-2.0V
-4.5V
-2.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -5A
V
GS
= -4.5V
0.03
0.05
0.07
0.09
0.11
0.13
0.15
1
2
3
4
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -2.5A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
3
6
9
12
15
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDC604 P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDC604P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDC606P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDC608PZ P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDC60 60 WATTS OUTPUT POWER
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參數(shù)描述
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FDC604 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDC60-48D05 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:60 WATTS OUTPUT POWER
FDC60-48D12 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:60 WATTS OUTPUT POWER
FDC60-48D15 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:60 WATTS OUTPUT POWER
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