參數(shù)資料
型號： FDB2614
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 62 A, 200 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 735K
代理商： FDB2614
7
www.fairchildsemi.com
FDB2614 Rev. A
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDB2710 250V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDB33N25 250V N-Channel MOSFET
FDB33N25TM 250V N-Channel MOSFET
FDB3632 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9mз
FDI3632 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9mз
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDB2670 功能描述:MOSFET 200V N-Channel Pwr Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB2710 功能描述:MOSFET 250V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB28N30 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET
FDB28N30TM 功能描述:MOSFET 300V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB-3 功能描述:化學物質(zhì) CAP 10/PACK RoHS:否 制造商:3M Electronic Specialty 產(chǎn)品:Adhesives 類型:Epoxy Compound 大小:1.7 oz 外殼:Plastic Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*