參數(shù)資料
型號： FDB2614
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 62 A, 200 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 735K
代理商： FDB2614
Figure 7. Breakdown Voltage Variation vs.
Temperature
-100
-50
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
0
50
100
150
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
* Notes :
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
Figure 8. On-Resistance Variation vs. Tem-
perature
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
* Notes :
1. V
GS
= 10V
2. I
D
= 31A
r
D
,
D
T
J
, Junction Temperature
[
o
C
]
Figure 9.
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
DC
10 ms
1ms
100
μ
s
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
* Notes :
1. T
C
= 25
o
C
2. T
J
= 150
o
C
3. Single Pulse
400
Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current vs. Case-
Temperature
25
50
T
C
, Case Temperature
[
o
C
]
75
100
125
150
0
10
20
30
40
50
60
70
I
D
,
Figure 11.
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
0.01
0.1
0.2
0.05
0.02
* Notes :
1. Z
θ
JC
(t) = 0.48
o
C/W Max.
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
0.5
Single pulse
T
[
Z
θ
J
]
Rectangular Pulse Duration [sec]
t
1
P
DM
t
2
Transient Thermal Response Curve
4
www.fairchildsemi.com
FDB2614 Rev. A
F
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PDF描述
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參數(shù)描述
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