參數(shù)資料
型號(hào)： FDB2614
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 62 A, 200 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 735K
代理商： FDB2614
Figure 1.
0.1
1
10
1
10
100
* Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
I
D
,
V
DS
,Drain-Source Voltage[V]
500
On-Region Characteristics
Figure 2.
2
4
6
8
1
10
100
1000
-55
o
C
150
o
C
* Notes :
1. V
DS
= 10V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
o
C
I
D
,
V
GS
,Gate-Source Voltage[V]
Transfer Characteristics
Figure 3.
0
50
100
150
200
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
* Note : T
J
= 25
o
C
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
R
D
[
]
,
D
I
D
, Drain Current [A]
0.015
On-Resistance Variation vs. Drain
Current and Gate Voltage
Figure 4.
tion vs. Source Current and Temperature
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1
10
100
1000
* Notes :
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250
μ
A
T
A
= 25
o
C
T
A
= 150
o
C
I
VSD, Source-Drain voltage [V]
Body Diode Forward Voltage Varia-
Figure 5.
0.1
1
10
0
3000
6000
9000
C
oss
C
iss
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(
C
ds
= shorted
)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
* Note:
1. V
GS
= 0V
2. f = 1MHz
C
rss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
30
Capacitance Characteristics
Figure 6.
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
10
* Note : I
D
= 62A
V
DS
= 40V
V
DS
= 100V
V
DS
= 160V
V
G
,
Q
g
, Total Gate Charge [nC]
Gate Charge Characteristics
3
www.fairchildsemi.com
FDB2614 Rev. A
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDB2710 250V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDB33N25 250V N-Channel MOSFET
FDB33N25TM 250V N-Channel MOSFET
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FDI3632 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9mз
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參數(shù)描述
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FDB2710 功能描述:MOSFET 250V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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