參數(shù)資料
型號(hào)： FDB050AN06A0
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 18 A, 60 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263AB, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/11頁(yè)
文件大小： 564K
代理商： FDB050AN06A0
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB050AN06A0 / FDP050AN06A0 Rev. A
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-80
-40
0
40
80
120
160
200
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
T
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
100
1000
10000
0.1
1
10
60
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
60
70
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 30V
I
D
= 80A
I
D
= 18A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDP050AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDB070AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m
FDP070AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m
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FDB12N50TM N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ
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