參數(shù)資料
型號： FDB050AN06A0
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 18 A, 60 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263AB, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 564K
代理商： FDB050AN06A0
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB050AN06A0 / FDP050AN06A0 Rev. A
F
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
0
40
80
120
160
25
50
75
100
125
150
175
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
CURRENT LIMITED
BY PACKAGE
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.5
SINGLE PULSE
100
1000
2000
50
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
C
150
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
V
GS
= 10V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDP050AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDB070AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m
FDP070AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m
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FDB12N50TM N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ
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FDB070AN06A0 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
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