參數(shù)資料
型號(hào): EDX5116ABSE
廠商: Elpida Memory, Inc.
英文描述: 512M bits XDR DRAM (32M words ?16 bits)
中文描述: 512M比特XDR DRAM內(nèi)存(32M的話?16位)
文件頁數(shù): 69/78頁
文件大?。?/td> 3611K
代理商: EDX5116ABSE
Preliminary Data Sheet E0643E30 (Ver. 3.0)
69
EDX5116ABSE
Figure 51
DRS L DQ Transmit Waveforms
t
Q,DQ,MAX
CFM
CFMN
[(j+0.5)/8]t
CYCLE
DQ0
DQN0
t
QOFF,DQ0
2
3
0
1
6
7
4
5
j
14
15
[(j-0.5)/8]t
CYCLE
t
Q,DQ,MIN
t
CYCLE
j = {0,1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,15}
t
Q,DQ,MAX
[(j+0.5)/8]t
CYCLE
DQi
DQni
t
QOFF,DQi
2
3
0
1
6
7
4
5
j
14
15
[(j-0.5)/8]t
CYCLE
t
Q,DQ,MIN
t
Q,DQ,MAX
[(j+0.5)/8]t
CYCLE
2
3
0
1
6
7
4
5
j
14
15
[(j-0.5)/8]t
CYCLE
t
Q,DQ,MIN
t
QOFF,MIN
t
QOFF,MAX
...
...
...
...
...
...
.
.
80%
20%
V
OL,DQ
logic “0”
logic “1”
V
OH,DQ
...
t
OF,DQ
t
OR,DQ
t
OF,DQ
t
OR,DQ
t
OF,DQ
t
OR,DQ
80%
20%
V
OL,DQ
logic “0”
logic “1”
V
OH,DQ
80%
20%
V
OL,DQ
logic “0”
logic “1”
V
OH,DQ
i = {0,1,2,3,4,5,...15}
DQ15
DQN15
t
QOFF,DQ15
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PDF描述
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