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參數(shù)資料
| 型號： | EDX5116ABSE-3B-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M bits XDR DRAM (32M words ?16 bits) |
| 中文描述： | 32M X 16 RAMBUS, PBGA104 |
| 封裝： | LEAD FREE, FBGA-104 |
| 文件頁數(shù)： | 25/78頁 |
| 文件大?。?/td> | 3611K |
| 代理商： | EDX5116ABSE-3B-E |
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Preliminary Data Sheet E0643E30 (Ver. 3.0)
25
EDX5116ABSE
Figure 10
Read Transac tions
T
0
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
9
T
10
T
11
T
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T
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T
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T
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T
17
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18
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19
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T
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T
8
T
0
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
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7
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9
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T
11
T
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13
T
14
T
15
T
16
T
17
T
18
T
19
T
20
T
21
T
22
T
23
T
8
Transaction a: RD
a0 = {Ba,Ra}
a1 = {Ba,Ca1}
a2 = {Ba,Ca2}
a3 = {Ba}
t
CC
t
CAC
t
CYCLE
Transaction a: RD
a0 = {Ba,Ra}
a1 = {Ba,Ca1}
a2 = {Ba,Ca2}
a3 = {Ba}
t
CC
t
CAC
t
CYCLE
t
RP
t
RCD-R
a1
RD
a2
RD
a1
RD
a2
RD
a3
PRE
a0
ACT
Q(a2)
Q(a1)
Q(a2)
Q(a1)
T
0
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
9
T
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T
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T
21
T
22
T
23
T
8
Transaction a: RD
a0 = {Ba,Ra}
a1 = {Ba,Ca1}
a2 = {Ba,Ca2}
a3 = {Ba}
t
CC
t
CAC
t
CYCLE
t
RDP
t
RCD-R
a1
RD
a2
RD
a3
PRE
a0
ACT
Q(a2)
Q(a1)
T
0
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
9
T
T
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T
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T
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T
16
T
17
T
18
T
19
T
20
T
21
T
22
T
23
T
8
Transaction a: RD
Transaction b: RD
a0 = {Ba,Ra}
b0 = {Bb,Rb}
a1 = {Ba,Ca1}
b1 = {Bb,Cb1}
a2 = {Ba,Ca2}
b2 = {Bb,Cb2}
a3 = {Ba}
b3 = {Bb}
t
CAC
t
CYCLE
t
RCD-R
a1
RD
a3
PRE
a0
ACT
Q(a1)
t
RAS
Bb = Ba
b0
ACT
t
RP
Page-hit Read Example
Page-miss Read Example
Page-empty Read Example
Page-empty Read Example - Core Limited
DQ15..0
DQN15..0
CFM
CFMN
RQ11..0
DQ15..0
DQN15..0
CFM
CFMN
RQ11..0
DQ15..0
DQN15..0
CFM
CFMN
RQ11..0
DQ15..0
DQN15..0
CFM
CFMN
RQ11..0
t
RDP
t
RDP
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