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參數(shù)資料
| 型號： | EDS2516CDTA-75-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M bits SDRAM (16M words x 16 bits) |
| 中文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 9/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 703K |
| 代理商： | EDS2516CDTA-75-E |
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EDS2516CDTA
Prelimimary Data Sheet E0545E40 (Ver. 4.0)
9
Relationship Between Frequency and Minimum Latency
Frequency (MHz)
133
100
tCK (ns)
Active command to column command
(same bank)
Active command to active command
(same bank)
Active command to precharge command (same
bank)
Precharge command to activecommand (same
bank)
Write recovery or data-in to precharge
command (same bank)
Active command to active command
(different bank)
Symbol
7.5
10
Unit
Notes
l
RCD
3
2
tCK
1
l
RC
9
7
tCK
1
l
RAS
6
5
tCK
1
l
RP
3
2
tCK
1
l
DPL
2
2
tCK
1
l
RRD
2
2
tCK
1
Self refresh exit time
l
SREX
1
1
tCK
2
Last data in to active command
(Auto precharge, same bank)
l
DAL
5
4
tCK
= [
l
DPL +
l
RP]
Self refresh exit to command input
l
SEC
9
7
tCK
= [
l
RC]
3
Precharge command to high impedance
(CL = 2)
l
HZP
—
2
tCK
(CL = 3)
l
HZP
3
—
tCK
Last data out to active command
(Auto precharge, same bank)
Last data out to precharge (early precharge)
(CL = 2)
l
APR
1
1
tCK
l
EP
—
–1
tCK
(CL = 3)
l
EP
–2
–2
tCK
Column command to column command
l
CCD
1
1
tCK
Write command to data in latency
l
WCD
0
0
tCK
DQM to data in
l
DID
0
0
tCK
DQM to data out
l
DOD
2
2
tCK
CKE to CLK disable
l
CLE
1
1
tCK
Register set to active command
l
MRD
2
2
tCK
/CS to command disable
l
CDD
0
0
tCK
Power down exit to command input
l
PEC
1
1
tCK
Notes: 1.
l
RCD to
l
RRD are recommended value.
2. Be valid [DESL] or [NOP] at next command of self refresh exit.
3. Except [DESL] and [NOP]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDS2516APTA-75 | 256M bits SDRAM |
| EDS2516APTA-75L | 256M bits SDRAM |
| EDS2516APTA-7A | 256M bits SDRAM |
| EDS2516APTA-7AL | 256M bits SDRAM |
| EDS2516APTA-TI | 256M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| EDS2516EEBH-TT | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range) |
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| EDS2516JEBH-75R3-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits AS SDRAM |
| EDS25-1A | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Optical Fieldbus System System Composition Devices |
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