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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDS2516CDTA-75-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M bits SDRAM (16M words x 16 bits) |
| 中文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 44/50頁(yè) |
| 文件大小： | 703K |
| 代理商： | EDS2516CDTA-75-E |
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EDS2516CDTA
Read/Burst Write Cycle
Prelimimary Data Sheet E0545E40 (Ver. 4.0)
44
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
R:a
C:a
R:b
C:a'
R:a
C:a
C:a
a
a+1 a+2 a+3
a+1
a
a+1 a+2 a+3
Bank 0
Bank 0
Bank 0
Bank 0
Read/Burst write
/RAS-/CAS delay = 3
/CAS latency = 3
Burst length = 4
=
VIH or VIL
R:b
Bank 3
Active
CKE
/RAS
/CS
/CAS
/WE
BS
Address
UDQM, LDQM
CLK
CKE
/RAS
/CS
/CAS
/WE
BS
Address
UDQM, LDQM
DQ (input)
DQ (output)
a+1 a+2 a+3
a
a+3
a
Bank 0
Bank 0
Bank 3
sClock
Bank 0
Bank 0
Bank 3
VIH
DQ (input)
DQ (output)
Auto Refresh Cycle
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
CLK
CKE
/CS
/CAS
/WE
BS
Address
UDQM
LDQM
DQ (input)
DQ (output)
High-Z
RP
Precharge
Auto Refresh
Active
t
RC
t
RC
t
Auto Refresh
Read
R:a
C:a
A10=1
/RAS
a
a+1
VIH
Refresh cycle and
Read cycle
/RAS-/CAS delay = 2
/CAS latency = 2
Burst length = 4
= VIH or VIL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDS2516APTA-75 | 256M bits SDRAM |
| EDS2516APTA-75L | 256M bits SDRAM |
| EDS2516APTA-7A | 256M bits SDRAM |
| EDS2516APTA-7AL | 256M bits SDRAM |
| EDS2516APTA-TI | 256M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDS2516EEBH-9ATT-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range) |
| EDS2516EEBH-TT | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range) |
| EDS2516JEBH-75R3 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits AS SDRAM |
| EDS2516JEBH-75R3-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits AS SDRAM |
| EDS25-1A | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Optical Fieldbus System System Composition Devices |
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