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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDL1216AASA |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | GT 3C 3#12 SKT RECP |
| 中文描述： | 128M的內(nèi)存位移動(dòng) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/59頁(yè) |
| 文件大小： | 479K |
| 代理商： | EDL1216AASA |
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EDL1216AASA
Data Sheet E0196E30 (Ver. 3.0)
5
DC Characteristics (TA = –25 to +85
°
C, VDD = 2.5V ± 0.2V, VDDQ = 1.8V ± 0.15V, VSS, VSSQ = 0V)
Parameter
/CAS latency
Symbol
Grade
max.
Unit
Test condition
Notes
Operating current
(CL = 2)
(CL = 3)
IDD1
65
mA
1
IDD1
65
mA
Burst length = 1
tRC
≥
tRC min., IO = 0mA,
One bank active
Standby current in power down
Standby current in power down
(input signal stable)
IDD2P
1
mA
CKE
≤
VIL max., tCK = 15ns
IDD2PS
0.6
mA
CKE
≤
VIL max., tCK =
∞
Standby current in non power
down
IDD2N
5.5
mA
CKE
≥
VIH min., tCK = 15ns,
/CS
≥
VIH min.,
Input signals are changed one
time during 30ns.
CKE
≥
VIH min., tCK =
∞
,
Input signals are stable.
CKE
≤
VIL max., tCK = 15ns
Standby current in non power
down (input signal stable)
Active standby current in power
down
Active standby current in power
down (input signal stable)
IDD2NS
2
mA
IDD3P
1.5
mA
IDD3PS
1
mA
CKE
≤
VIL max., tCK =
∞
Active standby current in non
power down
IDD3N
17
mA
CKE
≥
VIH min., tCK = 15 ns,
/CS
≥
VIH min.,
Input signals are changed one
time during 30ns.
CKE
≥
VIH min., tCK =
∞
,
Input signals are stable.
≥
tCK min.,
tCK
Active standby current in non
Burst operating current
(CL = 2)
(CL = 3)
Refresh current
(CL = 2)
(CL = 3)
Self refresh current
PASR="000" (Full)
PASR="001" (2BK)
12
mA
IDD4
60
mA
IDD4
80
mA
IDD5
155
mA
tRC
≥
tRC min.
3
IDD5
155
mA
IDD6
0.35
mA
TCSR="00" (Ts*
4
≤
70°C)
0.25
mA
CKE
≤
0.2V
PASR="010" (1BK)
0.18
mA
PASR="101" (1/2 BK)
0.12
mA
PASR="110" (1/4 BK)
0.09
mA
PASR="000" (Full)
IDD6
0.20
mA
TCSR="01" (Ts*
4
≤
45°C)
PASR="001" (2BK)
0.15
mA
CKE
≤
0.2V
PASR="010" (1BK)
0.10
mA
PASR="101" (1/2 BK)
0.08
mA
PASR="110" (1/4 BK)
0.07
mA
PASR="000" (Full)
IDD6
0.60
mA
TCSR="11" (Ts*
4
≤
85°C)
PASR="001" (2BK)
0.50
mA
CKE
≤
0.2V
PASR="010" (1BK)
0.43
mA
PASR="101" (1/2 BK)
0.37
mA
PASR="110" (1/4 BK)
Standby current in deep power
down mode
0.34
mA
IDD7
10
μ
A
CKE
≤
0.2V
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