參數(shù)資料
型號(hào)： EDE5108GBSA-5A-E
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： INNOLINE: Rxx-100_150A - Compact High Voltage Power Supplies - 5 Watt in Low Profile DIP24 Package - 3000VDC Isolation - Remote Voltage Programming by External Voltage or Resistance - Continuous Short Circuit Protection - Cascadeable to generate Output Voltages of up to 420VDC
中文描述： 64M X 8 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA64
封裝： MICRO, BGA-64
文件頁(yè)數(shù)： 59/66頁(yè)
文件大?。?/td> 697K
代理商： EDE5108GBSA-5A-E
EDE5104ABSE, EDE5108ABSE, EDE5116ABSE
Data Sheet E0323E90 (Ver. 9.0)
59
Refresh command to Power-Down Entry
Command
CKE
T0
T3
T5
T6
T7
T8
T9
T1
T2
T4
T10
CK
/CK
CKE can go to low one clock after an auto-refresh command
T11
REF
Active command to power down entry
Command
CKE
CKE can go to low one clock after an active command
ACT
Precharge/Precharge all command to power down entry
Command
CKE
CKE can go to low one clock after a precharge or precharge all command
PRE or
PALL
MRS/EMRS command to power down entry
Command
CKE
MRS or
EMRS
tMRD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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EDE5108ABSE 512M bits DDR2 SDRAM
EDE5108AESK 512M bits DDR2 SDRAM
EDE5108GBSA 512M bits DDR-II SDRAM
EDE5104AESK 512M bits DDR2 SDRAM
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參數(shù)描述
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EDE5116ABSE-4A-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM
EDE5116ABSE-5C-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM
EDE5116AFSE 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM (32M words x 16 bits)
EDE5116AFSE-4A-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM (32M words x 16 bits)
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