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參數(shù)資料
| 型號： | EDE5108GBSA-5A-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | INNOLINE: Rxx-100_150A - Compact High Voltage Power Supplies - 5 Watt in Low Profile DIP24 Package - 3000VDC Isolation - Remote Voltage Programming by External Voltage or Resistance - Continuous Short Circuit Protection - Cascadeable to generate Output Voltages of up to 420VDC |
| 中文描述： | 64M X 8 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA64 |
| 封裝： | MICRO, BGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 35/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 697K |
| 代理商： | EDE5108GBSA-5A-E |
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EDE5104ABSE, EDE5108ABSE, EDE5116ABSE
Data Sheet E0323E90 (Ver. 9.0)
35
T-5
T-4
T-3
T-2
T-1
T0
T1
T2
T3
T4
/CK
CK
CKE
ODT
Internal
Term Res.
Internal
Term Res.
Internal
Term Res.
Internal
Term Res.
tIS
tIS
tIS
ODT
tIS
ODT
ODT
tIS
Active and standby
mode timings to
be applied.
Active and standby
mode timings to
be applied.
Power down
mode timings to
be applied.
Power down
mode timings to
be applied.
Rtt
Rtt
Rtt
Rtt
tAOFPD(max.)
tAOFD
tAOND
tAONPD(max.)
tANPD
Entering slow exit active power down mode
or precharge power down mode.
ODT Timing Mode Switch at Entering Power Down Mode
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE5104GBSA | 512M bits DDR-II SDRAM |
| EDE5108ABSE | 512M bits DDR2 SDRAM |
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| EDE5108GBSA | 512M bits DDR-II SDRAM |
| EDE5104AESK | 512M bits DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE5116ABSE | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
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| EDE5116AFSE-4A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM (32M words x 16 bits) |
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