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參數(shù)資料
| 型號： | EDE5108GBSA-5A-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | INNOLINE: Rxx-100_150A - Compact High Voltage Power Supplies - 5 Watt in Low Profile DIP24 Package - 3000VDC Isolation - Remote Voltage Programming by External Voltage or Resistance - Continuous Short Circuit Protection - Cascadeable to generate Output Voltages of up to 420VDC |
| 中文描述： | 64M X 8 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA64 |
| 封裝： | MICRO, BGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 2/66頁 |
| 文件大小： | 697K |
| 代理商： | EDE5108GBSA-5A-E |
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EDE5104ABSE, EDE5108ABSE, EDE5116ABSE
Data Sheet E0323E90 (Ver. 9.0)
2
Ordering Information
Part number
EDE5104ABSE-5C-E
EDE5104ABSE-4A-E
EDE5108ABSE-5C-E
EDE5108ABSE-4A-E
EDE5116ABSE-5C-E
EDE5116ABSE-4A-E
Mask
version
Organization
(words
×
bits)
Internal
Banks
Speed bin
(CL-tRCD-tRP)
DDR2-533 (4-4-4)
DDR2-400 (3-3-3)
DDR2-533 (4-4-4)
DDR2-400 (3-3-3)
DDR2-533 (4-4-4)
DDR2-400 (3-3-3)
Package
B
128M
×
4
4
64-ball FBGA (
μ
BGA)
64M
×
8
32M
×
16
84-ball FBGA (
μ
BGA)
Part Number
Elpida Memory
Density / Bank
51: 512M /4 banks
Bit Organization
04: x4
08: x8
16: x16
Voltage, Interface
A: 1.8V, SSTL_18
Die Rev.
Package
SE: FBGA (
μ
BGA with back cover)
Speed
5C: DDR2-533 (4-4-4)
4A: DDR2-400 (3-3-3)
Product Code
E: DDR2
Type
D: Monolithic Device
E D E 51 04 A B SE - 5C - E
Environment code
E: Lead Free
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| EDE5108GBSA | 512M bits DDR-II SDRAM |
| EDE5104AESK | 512M bits DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| EDE5116ABSE-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5116AFSE | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM (32M words x 16 bits) |
| EDE5116AFSE-4A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM (32M words x 16 bits) |
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