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EPC2034ENGRT

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • 操作
  • EPC2034ENGRT
    EPC2034ENGRT

    EPC2034ENGRT

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
EPC2034ENGRT PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
  • 制造商
  • epc
  • 系列
  • eGaN?
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • GaNFET N 通道,氮化鎵
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 31A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 10 毫歐 @ 20A,5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.5V @ 7mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)
  • 8.5nC @ 5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)
  • 940pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 模具
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 模具
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
EPC2034ENGRT 技術(shù)參數(shù)
  • EPC2034ENGR 功能描述:TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤 零件狀態(tài):無貨 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):31A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 20A,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):8.5nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):940pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2034 功能描述:TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):GaNFET (Gallium Nitride) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):48A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 20A,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):8.8nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):950pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:* 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2033ENGRT 功能描述:TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):31A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7 毫歐 @ 25A,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):10nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1140pF @ 75V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2033ENGR 功能描述:TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤 零件狀態(tài):無貨 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):31A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7 毫歐 @ 25A,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):10nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1140pF @ 75V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2033 功能描述:TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):GaNFET(氮化鎵) 漏源電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):31A(Ta) 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):10nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1140pF @ 75V FET 功能:- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7 毫歐 @ 25A,5V 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:模具 封裝/外殼:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2040 EPC2040ENGR EPC2040ENGRT EPC2045ENGRT EPC2046ENGRT EPC2047ENGRT EPC2049ENGRT EPC2100 EPC2100ENG EPC2100ENGRT EPC2101 EPC2101ENG EPC2101ENGRT EPC2102 EPC2102ENG EPC2102ENGRT EPC2103 EPC2103ENG
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