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EPC2038

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • EPC2038
    EPC2038

    EPC2038

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 4561

  • EPC

  • BGA

  • 21+

  • -

  • 瑞智芯只做原裝

  • EPC2038
    EPC2038

    EPC2038

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • EPC

  • 模具

  • 21+

  • -

  • 質(zhì)量保真，價格實惠，假一罰十

  • EPC2038ENGR
    EPC2038ENGR

    EPC2038ENGR

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6890

  • EPC

  • 剪切帶（CT

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
EPC2038 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE
  • 制造商
  • epc
  • 系列
  • eGaN?
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • GaNFET（氮化鎵）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 500mA（Ta）
  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 5V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.5V @ 20μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 0.044nC @ 5V
  • Vgs（最大值）
  • +6V，-4V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 8.4pF @ 50V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • -
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 3.3 歐姆 @ 50mA，5V
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • 模具
  • 封裝/外殼
  • 模具
  • 標準包裝
  • 1
EPC2038 技術(shù)參數(shù)
  • EPC2037ENGR 功能描述:TRANS GAN 100V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 100mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 80μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.12nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12.5pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2037 功能描述:TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.7A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 80μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.12nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:14pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 100mA，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:模具 封裝/外殼:模具 標準包裝:1 EPC2036ENGRT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.7A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 600μA Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:90pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:模具 封裝/外殼:模具 標準包裝:1 EPC2036 功能描述:TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 1A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 600μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.91nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:90pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2035 功能描述:TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 1A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 800μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.15nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:115pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2049ENGRT EPC2100 EPC2100ENG EPC2100ENGRT EPC2101 EPC2101ENG EPC2101ENGRT EPC2102 EPC2102ENG EPC2102ENGRT EPC2103 EPC2103ENG EPC2103ENGRT EPC2104 EPC2104ENG EPC2104ENGRT EPC2105 EPC2105ENG
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