您好，歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊
您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > E字母型號搜索 > E字母第1678頁 >

EPC2100ENG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • EPC2100ENG
    EPC2100ENG

    EPC2100ENG

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 1650

  • EPC

  • 托盤

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
EPC2100ENG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
  • 制造商
  • epc
  • 系列
  • eGaN?
  • 包裝
  • 托盤
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • 2 個 N 通道（半橋）
  • FET 功能
  • GaNFET（氮化鎵）
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 9.5A，38A
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 8 毫歐 @ 25A，5V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.5V @ 4mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 3.5nC @ 15V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 380pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 模具
  • 供應商器件封裝
  • 模具
  • 標準包裝
  • 10
EPC2100ENG 技術(shù)參數(shù)
  • EPC2100 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta），40A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.2 毫歐 @ 25A，5V，2.1 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2049ENGRT 功能描述:TRANS GAN 40V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:16A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.6nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:805pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 15A，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:模具 封裝/外殼:模具 標準包裝:1 EPC2047ENGRT 功能描述:TRANS GAN 200V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:32A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10.2nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1050pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 20A，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:模具 封裝/外殼:模具 標準包裝:1 EPC2046ENGRT 功能描述:TRANS GAN 200V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.6nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:345pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 20A，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:模具 封裝/外殼:模具 標準包裝:1 EPC2045ENGRT 功能描述:TRANS GAN 100V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:16A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.5nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:685pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 16A，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:模具 封裝/外殼:模具 標準包裝:1 EPC2103ENGRT EPC2104 EPC2104ENG EPC2104ENGRT EPC2105 EPC2105ENG EPC2105ENGRT EPC2106 EPC2106ENGRT EPC2107 EPC2107ENGRT EPC2108 EPC2108ENGRT EPC2110 EPC2110ENGRT EPC2111 EPC2111ENGRT EPC2801
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*
配單專家

在采購EPC2100ENG進貨過程中，您使用搜索有什么問題和建議？點此反饋

友情提醒：為規(guī)避購買EPC2100ENG產(chǎn)品風險，建議您在購買EPC2100ENG相關(guān)產(chǎn)品前務必確認供應商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責聲明：以上所展示的EPC2100ENG信息由會員自行提供，EPC2100ENG內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責。買賣IC網(wǎng)不承擔任何責任。

買賣IC網(wǎng) (hkdtupc.cn) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號