EPC2049ENGRT

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功能描述
TRANS GAN 40V BUMPED DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
16A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 6mA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
7.6nC @ 5V
Vgs（最大值）
+6V，-4V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
805pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
5 毫歐 @ 15A，5V
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
模具
封裝/外殼
模具
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

EPC2049ENGRT 技術(shù)參數(shù)

EPC2047ENGRT 功能描述:TRANS GAN 200V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:32A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10.2nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1050pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 20A，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:模具封裝/外殼:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2046ENGRT 功能描述:TRANS GAN 200V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.6nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:345pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 20A，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:模具封裝/外殼:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2045ENGRT 功能描述:TRANS GAN 100V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:16A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.5nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:685pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 16A，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:模具封裝/外殼:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2040ENGRT 功能描述:TRANS GAN 15V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.4A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 1.5A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.93nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:100pF @ 6V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2040ENGR 功能描述:TRANS GAN 25V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態(tài):無貨 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.4A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 1.5A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.93nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:100pF @ 6V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2103 EPC2103ENG EPC2103ENGRT EPC2104 EPC2104ENG EPC2104ENGRT EPC2105 EPC2105ENG EPC2105ENGRT EPC2106 EPC2106ENGRT EPC2107 EPC2107ENGRT EPC2108 EPC2108ENGRT EPC2110 EPC2110ENGRT EPC2111