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EPC2034

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • EPC2034C
    EPC2034C

    EPC2034C

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1727

  • EPC

  • N/A

  • 19+

  • -

  • 瑞智芯只做原裝

  • EPC2034
    EPC2034

    EPC2034

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
EPC2034 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE
  • 制造商
  • epc
  • 系列
  • eGaN?
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 48A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 10 毫歐 @ 20A，5V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.5V @ 7mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 8.8nC @ 5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 950pF @ 100V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • *
  • 工作溫度
  • *
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 模具
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 模具
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
EPC2034 技術(shù)參數(shù)
  • EPC2033ENGRT 功能描述:TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1140pF @ 75V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2033ENGR 功能描述:TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤 零件狀態(tài):無貨 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1140pF @ 75V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2033 功能描述:TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta） 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1140pF @ 75V FET 功能:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:模具 封裝/外殼:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2032ENGRT 功能描述:TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):無貨 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:48A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 30A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 11mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1530pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2032ENGR 功能描述:TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤 零件狀態(tài):無貨 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:48A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 30A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 11mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1530pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2039 EPC2039ENGRT EPC2040 EPC2040ENGR EPC2040ENGRT EPC2045ENGRT EPC2046ENGRT EPC2047ENGRT EPC2049ENGRT EPC2100 EPC2100ENG EPC2100ENGRT EPC2101 EPC2101ENG EPC2101ENGRT EPC2102 EPC2102ENG EPC2102ENGRT
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