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EPC2105

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • EPC2105
    EPC2105

    EPC2105

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 495

  • EPC

  • BGA 6.05 x 2.3

  • 20+

  • -

  • 瑞智芯只做原裝

  • EPC2105ENGRT
    EPC2105ENGRT

    EPC2105ENGRT

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨 電話010-62104...

  • EPC2105ENG
    EPC2105ENG

    EPC2105ENG

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 600

  • EPC

  • 散裝

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
EPC2105 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
  • 制造商
  • epc
  • 系列
  • eGaN?
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • 2 個(gè) N 通道（半橋）
  • FET 功能
  • GaNFET（氮化鎵）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 9.5A，38A
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 14.5 毫歐 @ 20A，5V，3.4 毫歐 @ 20A，5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.5V @ 2.5mA，2.5V @ 10mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 2.5nC @ 5V，10nC @ 5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 300pF @ 40V，1100pF @ 40V
  • 功率 - 最大值
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 模具
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 模具
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
EPC2105 技術(shù)參數(shù)
  • EPC2104ENGRT 功能描述:TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵） 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.3 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:800pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2104ENG 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵） 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.3 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:800pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2104 功能描述:TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.3 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:800pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2103ENGRT 功能描述:TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵） 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.5 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7600pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:* 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2103ENG 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵） 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.5 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:760pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2110ENGRT EPC2111 EPC2111ENGRT EPC2801 EPC2815 EPC2818 EPC2LC20 EPC2LC20N EPC2LI20 EPC2LI20N EPC2TC32 EPC2TC32N EPC2TI32 EPC2TI32N EPC4QC100 EPC4QC100N EPC4QI100 EPC4QI100N
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