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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DS1225Y-200 |
| 廠商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | Static RAM |
| 英文描述： | 8K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, PDIP28 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/12頁(yè) |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | DS1225Y-200 |
Maxim cannot assume responsibility for use of any circuitry other than circuitry entirely embodied in a Maxim product. No circuit patent licenses are
implied. Maxim reserves the right to change the circuitry and specifications without notice at any time.
12 __________________Maxim Integrated Products, 120 San Gabriel Drive, Sunnyvale, CA 94086 (408) 737-7600
1994 Maxim Integrated Products
Printed USA
is a registered trademark of Maxim Integrated Products.
MAX381/MAX383/MAX385
Precision, Low-Voltage Analog Switches
________________________________________________________Package Information
L
DIM
A
A1
B
C
D
E
e
H
h
L
α
MIN
0.053
0.004
0.014
0.007
0.386
0.150
0.228
0.010
0.016
0
MAX
0.069
0.010
0.019
0.010
0.394
0.157
0.244
0.020
0.050
8
MIN
1.35
0.10
0.35
0.19
9.80
3.80
5.80
0.25
0.40
0
MAX
1.75
0.25
0.49
0.25
10.00
4.00
6.20
0.50
1.27
8
INCHES
MILLIMETERS
α
16-PIN PLASTIC
SMALL-OUTLINE
(NARROW)
PACKAGE
H
E
D
e
A
A1
C
h x 45
0.127mm
0.004in.
B
1.27 BSC
0.050 BSC
21-588B
C
A
A2
E1
D
E
eA
eB
A3
B1
B
DIM
A
A1
A2
A3
B
B1
C
D
D1
E
E1
e
eA
eB
L
α
MIN
–
0.015
0.125
0.055
0.016
0.050
0.008
0.745
0.005
0.300
0.240
–
0.115
0
MAX
0.200
–
0.150
0.080
0.022
0.065
0.012
0.765
0.030
0.325
0.280
0.400
0.150
15
MIN
–
0.38
3.18
1.40
0.41
1.27
0.20
18.92
0.13
7.62
6.10
–
2.92
0
MAX
5.08
–
3.81
2.03
0.56
1.65
0.30
19.43
0.76
8.26
7.11
10.16
3.81
15
INCHES
MILLIMETERS
2.54 BSC
7.62 BSC
0.100 BSC
0.300 BSC
A1
L
D1
e
21-587A
α
16-PIN PLASTIC
DUAL-IN-LINE
PACKAGE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1230AB-120 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120 ns, DMA28 |
| DS1230AB-150 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA28 |
| DS1230AB-100 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DMA28 |
| DS1230ABP-70 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA34 |
| DS1230Y-70 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA28 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DS1225Y-200+ | 功能描述:NVRAM 64k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1225Y-200IND | 功能描述:NVRAM 64k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1225Y-200-IND | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:64K Nonvolatile SRAM |
| DS1225Y-200IND+ | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1227 | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:KickStarter Chip |
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