| 型號(hào): | DS_K7M803625B |
| 廠(chǎng)商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述: | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow Through NtRAM |
| 中文描述: | 256Kx36 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/18頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 375K |
| 代理商: | DS_K7M803625B |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS_K7N163601A | 512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM |
| DS_K7N323601M | 1Mx36 & 2Mx18-Bit Pipelined NtRAM |
| DS_K7N803601B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM |
| DS_K7N803645B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM |
| DS_K7R323682M | 1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDRTM II b2 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DSK-810S | 制造商:SYNERGY 制造商全稱(chēng):SYNERGY MICROWAVE CORPORATION 功能描述:POWER DIVIDERS 0ì : 8-WAY |
| DSK9J01 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-channel Junction FET |
| DSK9J01P0L | 功能描述:JFET Junction FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時(shí)的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| DSK9J01Q0L | 功能描述:JFET Junction FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時(shí)的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| DSKEIDE40G5E | 制造商:Johnson Components 功能描述:5E 40GB 7200 RPM EIDE DISK 制造商:Emerson Network Power 功能描述:40GB, 7200 RPM EIDE DISK,5E - Bulk |