| 型號: | DS_K7N803645B |
| 廠商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述: | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM |
| 中文描述: | 256Kx36 |
| 文件頁數(shù): | 1/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 379K |
| 代理商: | DS_K7N803645B |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS_K7R323682M | 1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDRTM II b2 SRAM |
| DS_K9F1208U0M | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| DS_K9K1208U0A | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-DTL-38999 Series III; Body Material:Metal; Series:TVPS00; No. of Contacts:6; Connector Shell Size:17; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Body Style:Straight |
| DS_M366S2953MTS | PC133/PC100 Unbuffered DIMM |
| DS_M368L3223DTL | 256MB DDR SDRAM MODULE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DSK-810S | 制造商:SYNERGY 制造商全稱:SYNERGY MICROWAVE CORPORATION 功能描述:POWER DIVIDERS 0ì : 8-WAY |
| DSK9J01 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-channel Junction FET |
| DSK9J01P0L | 功能描述:JFET Junction FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| DSK9J01Q0L | 功能描述:JFET Junction FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| DSKEIDE40G5E | 制造商:Johnson Components 功能描述:5E 40GB 7200 RPM EIDE DISK 制造商:Emerson Network Power 功能描述:40GB, 7200 RPM EIDE DISK,5E - Bulk |