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參數(shù)資料
| 型號： | DRV591GQE |
| 英文描述： | Analog IC |
| 中文描述： | 模擬IC |
| 文件頁數(shù)： | 6/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 256K |
| 代理商： | DRV591GQE |
DRV591
SLOS389
–
NOVEMBER 2001
6
www.ti.com
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
PO = 2 W
PO = 1 W
PO = 0.5 W
E
–
EFFICIENCY
vs
LOAD RESISTANCE
RL
–
Load Resistance
–
VDD = 5 V
fS = 500 kHz
Figure 3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
PO = 1 W
PO = 0.5 W
PO = 0.25 W
E
–
EFFICIENCY
vs
LOAD RESISTANCE
RL
–
Load Resistance
–
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
VDD = 3.3 V
fS = 500 kHz
Figure 4
0
50
100
150
200
250
300
2.7
3.1
3.5
VDD
–
Supply Voltage
–
V
3.9
4.3
4.7
5.1
5.5
Total
Low Side
High Side
IO = 1 A
TA = 25
°
C
DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs
SUPPLY VOLTAGE
r
–
–
Total
Figure 5
–
40
–
15
TA
–
Free-Air Temperature
–
°
C
10
35
60
85
Low Side
High Side
VDD = 5 V
IO = 1 A
VFP Package
DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs
FREE-AIR TEMPERATURE
0
50
100
150
200
250
300
r
–
–
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DRV591VFP(1) | 30 AMP MINIATURE POWER RELAY |
| DRVM6.4B100N | Analog IC |
| DRVM6.4B100P | Analog IC |
| DRVM6.4B10N | Analog IC |
| DRVM6.4B10P | Analog IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DRV591VFP | 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC High Efficiency PWM Power Driver RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| DRV591VFP(1) | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:3-A HIGH-EFFICIENCY PWM POWER DRIVER |
| DRV591VFP | 制造商:Texas Instruments 功能描述:PWM POWER DRIVER SMD HLQFP32 591 |
| DRV591VFP1 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:3-A HIGH-EFFICIENCY PWM POWER DRIVER |
| DRV591VFPG4 | 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC High Efficiency PWM Power Driver RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
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