參數(shù)資料
型號： CPV363M4KPBF
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 電源模塊
英文描述： Trans IGBT Module N-CH 600V 11A 13-Pin IMS-2
中文描述： IGBT Transistors 600 Volt 6.0 Amp
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大?。?/td> 246K
代理商： CPV363M4KPBF
CPV363M4KPbF
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Revision: 11-Jun-13
6
Document Number: 94485
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Fig. 11 - Typical Switching Losses vs.
Collector to Emitter Current
Fig. 12 - Turn-Off SOA
Fig. 13 - Maximum Forward Voltage Drop vs.
Instantaneous Forward Current
0
3
6
9
12
15
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
I , Collector-to-emitter Current (A)
To
ta
lSw
it
c
h
in
g
L
o
s
e
s
(
m
J
)
C
R
= 23
T
= 150 C
V
= 0V
V
= 15V
G
J
CC
GE
°
Ω
480V
1
10
100
1
10
100
1000
C
CE
I
,C
o
llector
-to-E
m
itter
C
u
rr
ent
(A
)
SAFE OPERATING AREA
V
= 20V
T
= 125°C
GE
J
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
A
1
10
100
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
FM
F
In
s
tant
a
n
eous
For
w
a
rd
C
u
rr
en
t
-I
(
A
)
Forward Voltage Drop - V
(V)
T = 150°C
T = 125°C
T = 25°C
J
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CPV363M4UPBF Trans IGBT Module N-CH 600V 11A 13-Pin IMS-2
CPV364M4FPBF Trans IGBT Module N-CH 600V 27A 13-Pin IMS-2
CPV364M4KPBF Trans IGBT Module N-CH 600V 24A 13-Pin IMS-2
CPV364M4UPBF Trans IGBT Module N-CH 600V 20A 13-Pin IMS-2
CR02A-2240
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CPV363M4U 功能描述:IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2 RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CPV363M4UPBF 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:IGBT SIP Module (Ultrafast IGBT)
CPV363MF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IGBT SIP MODULE Fast IGBT
CPV363MK 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IGBT SIP MODULE Short Circuit Rated UltraFast IGBT
CPV363MM 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IGBT SIP MODULE Short Circuit Rated Fast IGBT
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