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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CPV363M4KPBF |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 電源模塊 |
| 英文描述： | Trans IGBT Module N-CH 600V 11A 13-Pin IMS-2 |
| 中文描述： | IGBT Transistors 600 Volt 6.0 Amp |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/11頁(yè) |
| 文件大小： | 246K |
| 代理商： | CPV363M4KPBF |
CPV363M4KPbF
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Revision: 11-Jun-13
4
Document Number: 94485
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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Fig. 1 - Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = IRMS of Fundamental)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
Fig. 4 - Maximum Collector Current vs. Case Temperature
Fig. 5 - Typical Collector to Emitter Voltage vs.
Junction Temperature
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
f, Frequency (KHz)
L
O
AD
CURRENT
(
A
)
Tc = 90°C
Tj = 125°C
Power Factor = 0.8
Modulation Depth = 1.15
Vcc = 50% of Rated Voltage
Total
Output
Power
(kW)
2.92
2.33
1.75
1.17
0.58
0.00
3.50
0.1
1
10
100
1
10
V
, Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
,
C
o
ll
e
c
to
r-t
o
-E
m
it
te
rC
u
rre
n
t(A
)
CE
C
V
= 15V
20μs PULSE WIDTH
GE
T = 25 C
J
o
T = 150 C
J
o
0.1
1
10
100
5
10
15
V
, Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
,
C
o
lle
c
to
r-to
-E
m
itte
rC
u
rre
n
t(A
)
GE
C
V
= 50V
5μs PULSE WIDTH
CC
T = 25 C
J
o
T = 150 C
J
o
0
3
6
9
12
25
50
75
100
125
150
Ma
x
im
u
m
DC
C
o
lle
c
tor
Cu
rr
ent
(
A
)
T , Case Temperature (°C)
C
V
= 15V
GE
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
1.0
2.0
3.0
T , Junction Temperature ( C)
V
,
Co
lle
c
to
r-
to
-E
m
itte
rV
o
lta
g
e
(V
)
J
°
CE
V
= 15V
80 us PULSE WIDTH
GE
I =
A
12
C
I =
A
6
C
I =
A
3
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPV363M4UPBF | Trans IGBT Module N-CH 600V 11A 13-Pin IMS-2 |
| CPV364M4FPBF | Trans IGBT Module N-CH 600V 27A 13-Pin IMS-2 |
| CPV364M4KPBF | Trans IGBT Module N-CH 600V 24A 13-Pin IMS-2 |
| CPV364M4UPBF | Trans IGBT Module N-CH 600V 20A 13-Pin IMS-2 |
| CR02A-2240 | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CPV363M4U | 功能描述:IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2 RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| CPV363M4UPBF | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:IGBT SIP Module (Ultrafast IGBT) |
| CPV363MF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IGBT SIP MODULE Fast IGBT |
| CPV363MK | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IGBT SIP MODULE Short Circuit Rated UltraFast IGBT |
| CPV363MM | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IGBT SIP MODULE Short Circuit Rated Fast IGBT |
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