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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BYD1100 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Hyper fast soft-recovery rectifier |
| 中文描述： | 0.85 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | BYD1100 |
1999 Nov 16
6
Philips Semiconductors
Product specification
Hyper fast soft-recovery rectifier
BYD1100
V
R
= V
RRMmax
.
Fig.8
Reverse current as a function of junction
temperature; maximum values.
handbook, halfpage
MGC550
0
100
200
3
10
2
10
1
(
μ
A)
IR
Tj (
°
C)
f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
Fig.9
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
handbook, halfpage
MBK900
1
10
Cd
(pF)
VR (V)
10
2
3
10
2
10
1
Rise time oscilloscope: t
r
≤
2 ns.
Turn-on time switch: t
≤
3 ns.
Fig.10 Test circuit and reverse recovery time waveform and definition.
handbook, full pagewidth
50
0.5 A
DUT
MAM282
trr
0.5
0
0.5
IR
(A)
1.0
IF
(A)
t
0.25
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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