參數(shù)資料
型號(hào)： BUK9907-40ATC
英文描述： TrenchPLUS logic level FET
中文描述： TrenchPLUS場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯電平
文件頁(yè)數(shù)： 2/15頁(yè)
文件大?。?/td> 355K
代理商： BUK9907-40ATC
Philips Semiconductors
BUK9907-40ATC
TrenchPLUS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 28 January 2002
2 of 15
9397 750 09139
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
5.
Quick reference data
Table 2:
Symbol Parameter
V
DSR(CL)
drain-source clamping voltage
I
D
drain current (DC)
P
tot
total power dissipation
T
j
junction temperature
R
DSon
drain-source on-state resistance
Quick reference data
Conditions
T
j
= 25
°
C; I
GS(CL)
=
2 mA; I
D
= 1 A
T
mb
= 25
°
C; V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°
C
Typ
50
-
-
-
5.8
6
5.2
658
Max
-
140
272
175
7
7.7
6.2
668
Unit
V
A
W
°
C
m
m
m
mV
T
j
= 25
°
C; V
GS
= 5 V; I
D
= 50 A
T
j
= 25
°
C; V
GS
= 4.5 V; I
D
= 50 A
T
j
= 25
°
C; V
GS
= 10 V; I
D
= 50 A
T
j
= 25
°
C; I
F
= 250
μ
A
V
F
temperature sense diode forward
voltage
temperature sense diode temperature
coefficient
S
F
55
°
C < T
j
< 175
°
C; I
F
= 250
μ
A
1.54
1.68
mV/K
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK993-60A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | SOT-263
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BUL1102EFP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
BUL118D BJT
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參數(shù)描述
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BUK9907-55ATE 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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BUK993-60A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | SOT-263
BUK995-60A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 34A I(D) | SOT-263
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