參數(shù)資料
型號(hào)： BUK9120-48TC
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor Voltage clamped logic level FET with temperature sensing diodes(帶溫度感應(yīng)二極管的功率MOS鉗位電壓邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 52 A, 40 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
文件大?。?/td> 85K
代理商： BUK9120-48TC
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Voltage clamped logic level FET with temperature sensing diodes
BUK9120-48TC
Fig.21. Normalised avalanche energy rating.
W
DSRS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 20 A
Fig.22. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
Fig.23. Switching test circuit.
Fig.24. Typical Inductive Clamping Waveforms
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSRS%
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
t
V
5 V
V
V
I
W
E = PDS dt
PDS = ID x VDS
I,V
P,E
t
(CL)DSR
DS
GS
DSR
D
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
February 1998
7
Rev 1.100
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PDF描述
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