參數(shù)資料
型號： BUK9006-55A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel Enhancement mode field-effect power Transistor
中文描述： 125 A, 55 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： DIE-2
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 226K
代理商： BUK9006-55A
Philips Semiconductors
BUK9006-55A
TrenchMOS logic level FET
Preliminary data
Rev. 01 — 1 August 2003
7 of 10
9397 750 11571
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
5.
Bare die outline
Fig 12. Bare die outline.
Table 4:
Parameter
Top-side metallization (gate and source
bond pads)
Back-side metallization (drain contact)
Passivation layer
Bare die information
Description
5
μ
m Al + 1 % Si (sputtered)
0.1
μ
m Ti / 0.3
μ
m Ni / 0.1
μ
m Ag (evaporated)
1
μ
m Si
3
N
4
UNIT
A
mm
TYPICAL DIMENSIONS
B
D
E
F
G
H
L
M
N
4.30
4.30
3.36
3.62
0.54
0.4
0.096 0.175
0.27
0.24
±
0.025
A
B
D
E
F
G
H
L
M
N
1
2
Drain connection made to underside.
P
P
P
P
03nn80
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK9620-100A TrenchMOS logic level FET
BUK9728-55A N-channel TrenchMOS standard level FET
BYV42EB-150 Rectifier diodes ultrafast, rugged
BYV42ESERIES 5.0 AMP POSITIVE VOLTAGE REGULATOR
BYV42E-100 Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:18; No. Strands x Strand Size:19 x 30; Jacket Color:Green; Approval Bodies:UL; Approval Categories:UL AWM Style 1371; Passes VW-1 Flame Test; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-W-16878/4 Type E RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK9107-40ATC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426
BUK9107-40ATC /T3 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9107-40ATC,118 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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