參數(shù)資料
型號(hào)： BUK9006-55A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel Enhancement mode field-effect power Transistor
中文描述： 125 A, 55 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： DIE-2
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大小： 226K
代理商： BUK9006-55A
Philips Semiconductors
BUK9006-55A
TrenchMOS logic level FET
Preliminary data
Rev. 01 — 1 August 2003
5 of 10
9397 750 11571
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 5.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= V
GS
Fig 6.
Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 25 V
Fig 7.
Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 8.
Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
03aa33
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
VGS(th)
(V)
max
typ
min
03aa36
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
ID
(A)
0
1
2
3
VGS (V)
max
typ
min
03nn84
0
40
80
120
0
20
40
60
80
ID (A)
gfs
(S)
03nn89
0
4000
8000
12000
10-2
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK9620-100A TrenchMOS logic level FET
BUK9728-55A N-channel TrenchMOS standard level FET
BYV42EB-150 Rectifier diodes ultrafast, rugged
BYV42ESERIES 5.0 AMP POSITIVE VOLTAGE REGULATOR
BYV42E-100 Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:18; No. Strands x Strand Size:19 x 30; Jacket Color:Green; Approval Bodies:UL; Approval Categories:UL AWM Style 1371; Passes VW-1 Flame Test; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-W-16878/4 Type E RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK9107-40ATC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426
BUK9107-40ATC /T3 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9107-40ATC,118 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9107-55ATE 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426
BUK9107-55ATE /T3 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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