參數資料
型號： BUK9006-55A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel Enhancement mode field-effect power Transistor
中文描述： 125 A, 55 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： DIE-2
文件頁數： 6/10頁
文件大?。?/td> 226K
代理商： BUK9006-55A
Philips Semiconductors
BUK9006-55A
TrenchMOS logic level FET
Preliminary data
Rev. 01 — 1 August 2003
6 of 10
9397 750 11571
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
Remark:
Figures 9, 10, and 11 measured on die assembled in SOT78 with
3 x 350
μ
m source bond wires.
V
DS
= 25 V
Fig 9.
T
j
= 25
°
C; I
D
= 25 A
Fig 10. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
V
GS
= 0 V
Fig 11. Source (diode forward) current as a function of source-drain (diode forward) voltage; typical values.
03nn85
0
25
50
75
100
0
1
2
3
4
VGS (V)
ID
(A)
Tj = 175
°
C
Tj = 25
°
C
03nn83
0
1
2
3
4
5
0
25
50
75
100
QG (nC)
VGS
(V)
VDD = 14 V
VDD = 44 V
03nn82
0
25
50
75
100
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
VSD (V)
IS
(A)
Tj = 175
°
C
Tj = 25
°
C
相關PDF資料
PDF描述
BUK9620-100A TrenchMOS logic level FET
BUK9728-55A N-channel TrenchMOS standard level FET
BYV42EB-150 Rectifier diodes ultrafast, rugged
BYV42ESERIES 5.0 AMP POSITIVE VOLTAGE REGULATOR
BYV42E-100 Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:18; No. Strands x Strand Size:19 x 30; Jacket Color:Green; Approval Bodies:UL; Approval Categories:UL AWM Style 1371; Passes VW-1 Flame Test; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-W-16878/4 Type E RoHS Compliant: Yes
相關代理商/技術參數
參數描述
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