參數(shù)資料
型號(hào)： BUK7775-55A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS standard level FET
中文描述： 11 A, 55 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 130K
代理商： BUK7775-55A
Philips Semiconductors
BUK7775-55A
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 02 — 7 June 2004
8 of 12
9397 750 13325
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
V
DS
= 25 V
Fig 13. Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C; I
D
= 10 A
Fig 14. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
V
GS
= 0 V
Fig 15. Source (diode forward) current as a function of source-drain (diode forward) voltage; typical values.
03ne10
0
5
10
15
20
25
ID
(A)
0
2
4
6
8
10
VGS (V)
Tj = 150
O
C
Tj = 25
O
C
03nc05
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
5
10
15
QG (nC)
VGS
(V)
VDD= 44 V
VDD= 14 V
03ne11
0
20
40
60
80
100
120
IS
(A)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD (V)
Tj = 150
O
C
Tj = 25
O
C
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