參數(shù)資料
型號： BUK7775-55A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS standard level FET
中文描述： 11 A, 55 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大小： 130K
代理商： BUK7775-55A
Philips Semiconductors
BUK7775-55A
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 02 — 7 June 2004
6 of 12
9397 750 13325
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C; I
D
= 10 A
Fig 6.
Drain-source on-state resistance as a function
of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03nc09
0
10
20
30
40
50
60
ID
(A)
0
2
4
6
8
10
VDS (V)
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
20
16 14
9.5
12
10.5
VGS (V) =
03nc08
40
60
80
100
120
140
160
5
10
15
20
VGS (V)
RDSon
(m
)
03nc10
40
60
80
100
120
140
160
0
10
20
30
40
50
ID (A)
R(m
)
VGS (V) =
5.5
6 6.5
7
8
10
03nc24
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
a
-60
-20
20
60
100
140
Tj (oC)
180
a
R
DSon 25 C
°
)
---------------------------
=
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