參數(shù)資料
型號(hào)： BUK7775-55A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS standard level FET
中文描述： 11 A, 55 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/12頁(yè)
文件大小： 130K
代理商： BUK7775-55A
BUK7775-55A
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev. 02 — 7 June 2004
Product data
M3D308
1.
Description
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS
1
technology, featuring very low on-state resistance.
Product availability:
BUK7775-55A in SOT186A (TO-220F).
2.
Features
I
TrenchMOS technology
I
Q101 compliant
I
150
°
C rated
I
Standard level compatible.
3.
Applications
I
Automotive and general purpose power switching:
N
12 V and 24 V loads
N
Motors, lamps and solenoids.
4.
Pinning information
1.
TrenchMOS is a trademark of Koninklijke Philips Electronics N.V.
Table 1:
Pin
Pinning - SOT186A, simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
Symbol
1
gate (g)
SOT186A (TO-220F)
2
drain (d)
3
source (s)
mb
mounting base;
isolated
MBK110
1
mb
2 3
s
d
g
mbb076
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK856-400IZ Insulated Gate Bipolar Transistor Protected Logic-Level IGBT
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BUK78150-55A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 55V 5.5A SOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH 55V 5.5A SOT223
BUK78150-55A /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK78150-55A T/R 功能描述:MOSFET TAPE-7 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK78150-55A,115 功能描述:MOSFET TAPE-7 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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