參數(shù)資料
型號： BUK7775-55A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS standard level FET
中文描述： 11 A, 55 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 130K
代理商： BUK7775-55A
Philips Semiconductors
BUK7775-55A
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 02 — 7 June 2004
3 of 12
9397 750 13325
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
V
GS
≥
10 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03ne36
0
20
40
60
80
100
120
Pder
(%)
0
25
50
75
100
125
150
175
Tmb (oC)
03ne37
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
Ider
(%)
Tmb (oC)
P
der
P
tot 25 C
°
)
----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
°
)
------------------
100
%
×
=
03ne03
10-1
1
10
102
1
10
102
VDS (V)
ID
(A)
DC
100 ms
10 ms
limit RDSon = VDS/ ID
1 ms
tp = 10
μ
s
100
μ
s
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