參數(shù)資料
型號(hào)： BUJ302AD
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
中文描述： 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 9/14頁(yè)
文件大?。?/td> 532K
代理商： BUJ302AD
BUJ302AD
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 28 March 2011
9 of 14
NXP Semiconductors
BUJ302AD
NPN power transistor
7.
Package outline
Fig 15. Package outline SOT428 (DPAK)
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT428
SC-63
TO-252
SOT428
06-02-14
06-03-16
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Plastic single-ended surface-mounted package (DPAK); 3 leads (one lead cropped)
A
2
1
3
E
1
D
2
D
1
H
D
L
L
1
L
2
e
1
e
mounting
base
w
A
M
b
E
b
2
b
1
c
A
1
y
0
5
10 mm
scale
UNIT
mm
0.93
0.46
5.46
5.00
0.56
0.20
6.22
5.98
6.73
6.47
10.4
9.6
2.95
2.55
A
1
2.38
2.22
A
b
2
1.1
0.9
b
1
e
1
0.89
0.71
b
c
D
1
0.9
0.5
L
2
E
e
2.285
4.57
4.0
D
2
min
4.45
E
1
min
0.5
L
1
min
H
D
L
w
0.2
y
max
0.2
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUJ302AX NPN power transistor
BUJ302A NPN power transistor
BUJ303AD NPN power transistor
BUJ303AX NPN power transistor
BUJ303A NPN power transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUJ302AD,118 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 400 V 4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ302AX 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 4A 1050V TO220F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 4A, 1050V, TO220F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 4A, 1050V, TO220F; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Power Dissipation Pd:26W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:66; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BUJ302AX,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 400 V 4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ303A 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ303A,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*