參數(shù)資料
型號(hào)： BUJ302AD
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
中文描述： 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 8/14頁(yè)
文件大?。?/td> 532K
代理商： BUJ302AD
BUJ302AD
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Product data sheet
Rev. 01 — 28 March 2011
8 of 14
NXP Semiconductors
BUJ302AD
NPN power transistor
Fig 12. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 13. Test circuit for resistive load switching
Fig 14. Switching times waveforms for resistive load
003aaf991
I
C
(A)
10
-2
10
1
10
-1
10
10
2
h
FE
1
V
CE
= 3 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
001aab989
t
p
R
B
V
IM
0
R
L
DUT
V
CC
T
001aab990
I
C
I
B
10 %
10 %
90 %
90 %
t
on
t
off
t
s
t
f
t
t
I
Bon
I
Boff
I
Con
t
r
≤
30 ns
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BUJ302AX 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 4A 1050V TO220F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 4A, 1050V, TO220F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 4A, 1050V, TO220F; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Power Dissipation Pd:26W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:66; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BUJ302AX,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 400 V 4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ303A 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ303A,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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