參數(shù)資料
型號： BUJ302AD
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
中文描述： 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 6/14頁
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代理商： BUJ302AD
BUJ302AD
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 28 March 2011
6 of 14
NXP Semiconductors
BUJ302AD
NPN power transistor
6.
Characteristics
[1]
Pulse test: pulse duration
≤
300 μs, duty cycle
≤
2 %
Table 6.
Symbol
Static characteristics
I
CES
Characteristics
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
collector-emitter cut-off
current
collector-emitter cut-off
current
open-collector emitter-base
breakdown voltage
collector-emitter sustaining
voltage
V
BE
= 0 V; V
CE
= 1050 V; T
mb
= 25 °C
-
0.2
10
μA
I
CEO
V
CE
= 400 V; I
B
= 0 A; T
mb
= 25 °C
-
10
250
mA
V
(BR)EBO
I
B
= 1 mA; I
C
= 0 A; T
mb
= 25 °C
15
19
-
V
V
CEOsus
I
B
= 0 A; I
C
= 10 mA; L
C
= 25 mH;
T
mb
= 25 °C; see
Figure 6
;
see
Figure 7
I
C
= 1 A; I
B
= 0.2 A; T
mb
= 25 °C;
see
Figure 8
; see
Figure 9
I
C
= 3.5 A; I
B
= 1 A; T
mb
= 25 °C;
see
Figure 8
; see
Figure 9
I
C
= 3.5 A; I
B
= 1 A; T
mb
= 25 °C;
see
Figure 10
I
C
= 0.1 A; V
CE
= 5 V; T
mb
= 25 °C;
see
Figure 11
I
C
= 0.8 A; V
CE
= 3 V; T
mb
= 25 °C;
see
Figure 12
[1]
400
470
-
V
V
CEsat
collector-emitter saturation
voltage
[1]
-
0.15
0.5
V
[1]
-
0.6
1.5
V
V
BEsat
base-emitter saturation
voltage
DC current gain
[1]
-
1.1
1.5
V
h
FE
[1]
48
66
100
[1]
25
42
50
Dynamic characteristics
t
s
t
f
storage time
fall time
I
C
= 2.5 A; I
Bon
= 0.5 A; I
Boff
= -0.5 A;
R
L
= 60
; V
BB
= -5 V; T
mb
= 25 °C;
resistive load; t
p
= 300 μs;
see
Figure 13
; see
Figure 14
-
-
-
-
3.5
500
μs
ns
Fig 6.
Test circuit for collector-emitter sustaining
voltage
Fig 7.
Oscilloscope display for collector-emitter
sustaining voltage test waveform
001aab987
horizontal
1
Ω
300
Ω
6 V
vertical
oscilloscope
50 V
100
Ω
to 200
Ω
30 Hz to 60 Hz
001aab988
V
CE
(V)
min
V
CEOsus
I
C
(mA)
10
100
250
0
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