參數(shù)資料
型號(hào): BUJ302AD
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN power transistor
中文描述: 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝: PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù): 5/14頁(yè)
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代理商: BUJ302AD
BUJ302AD
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Product data sheet
Rev. 01 — 28 March 2011
5 of 14
NXP Semiconductors
BUJ302AD
NPN power transistor
5.
Thermal characteristics
Table 5.
Symbol
R
th(j-mb)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction to
mounting base
thermal resistance from junction to ambient in free air
Conditions
see
Figure 5
Min
-
Typ
-
Max
1.56
Unit
K/W
R
th(j-a)
-
60
-
K/W
Fig 5.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse width
001aab998
t
p
(s)
10
5
1
10
10
1
10
2
10
4
10
3
1
10
1
10
Z
th(j-mb)
(K/W)
10
2
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
t
p
t
p
T
T
P
tot
t
δ
=
0.01
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BUJ302AX 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 4A 1050V TO220F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 4A, 1050V, TO220F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 4A, 1050V, TO220F; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Power Dissipation Pd:26W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:66; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
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BUJ303A,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2