• <dl id="edtes"><strong id="edtes"></strong></dl>
    <big id="edtes"><dfn id="edtes"><table id="edtes"></table></dfn></big>
    參數(shù)資料
    型號: BUJ105AD
    廠商: NXP Semiconductors N.V.
    元件分類: 功率晶體管
    英文描述: NPN power transistor
    封裝: BUJ105AD<SOT428 (DPAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<week 1, 2005,;
    文件頁數(shù): 9/13頁
    文件大?。?/td> 127K
    代理商: BUJ105AD
    BUJ105AD
    All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
    NXP B.V. 2011. All rights reserved.
    Product data sheet
    Rev. 2 — 3 November 2011
    9 of 13
    NXP Semiconductors
    BUJ105AD
    Silicon diffused power transistor
    9. Mounting
    Dimensions in mm.
    Fig 17. SOT428 soldering pattern for surface mounting
    001aab021
    7.0
    7.0
    4.57
    2.5
    2.15
    1.5
    相關(guān)PDF資料
    PDF描述
    BUJ105A NPN power transistor
    BUJ106A NPN power transistor
    BUJ302AD NPN power transistor
    BUJ302AX NPN power transistor
    BUJ302A NPN power transistor
    相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
    參數(shù)描述
    BUJ105AD,118 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin(2+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
    BUJ105AX 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
    BUJ106A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
    BUJ106A,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 10A 3Pin(3+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
    BUJ106AX 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor