參數(shù)資料
型號： BUJ105AD
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
封裝： BUJ105AD<SOT428 (DPAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<week 1, 2005,;
文件頁數(shù)： 6/13頁
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代理商： BUJ105AD
BUJ105AD
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 3 November 2011
6 of 13
NXP Semiconductors
BUJ105AD
Silicon diffused power transistor
Fig 9.
DC current gain as a function of collector
current; typical values at V
CE
= 1 V
Fig 10. DC current gain as a function of collector
current; typical values at V
CE
= 5 V
T
j
= 25
C.
I
C
/I
B
= 4.
Fig 11. Collector-emitter saturation voltage as a
function of base current; typical values
Fig 12. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
001aac045
I
C
(A)
10
2
10
1
10
1
10
10
2
h
FE
1
T
j
= 100
°
C
25
°
C
40
°
C
001aac046
I
C
(A)
10
2
10
1
10
1
10
10
2
h
FE
1
T
j
= 100
°
C
25
°
C
40
°
C
I
B
(A)
10
2
10
1
10
1
001aab995
0.8
1.2
0.4
1.6
2.0
V
CEsat
(V)
0
I
C
= 1 A
2 A 3 A
4 A
I
C
(A)
10
1
10
1
001aac047
0.9
0.7
1.1
1.3
V
BEsat
(V)
0.5
T
j
=
40
°
C
25
°
C
100
°
C
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BUJ106AX 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
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